存储大厂重金采购 EUV 光刻机，抢设备卡位先进 DRAM 与 HBM 产能

当前 AI 算力带动 HBM、高端服务器 DRAM 需求持续走高，ASML 已经预警 2027 到 2028 年 EUV 光刻机供应会跟不上客户需求，三星、SK 海力士这类头部存储大厂开始大手笔下单锁定交付档期，单家投资规模最高可达 20 万亿韩元，核心目标是落地 1c、1D 先进 DRAM 制程，支撑 HBM4 等高附加值存储芯片扩产，EUV 是先进 DRAM 绕不开的核心设备，DUV 多重曝光已经走到物理极限，不用 EUV 就很难继续往下做制程微缩、控制良率，而且现在 EUV 交付周期拉长，能不能抢到设备排期，直接决定后续存储厂商的技术迭代节奏和市场份额。

一、主要厂商采购计划汇总表

二、存储大厂抢 EUV 光刻机的底层原因

1. AI 拉动 HBM 需求爆发，HBM 对底层 DRAM 的制程、一致性要求很高，先进 DRAM 必须依托 EUV 才能稳定量产
2. DRAM 工艺进入 1β、1c 节点之后，DUV 多次曝光叠加误差大、良率难做，EUV 单次曝光可以解决图形精细度问题
3. ASML 产能有限，EUV 交期已经翻倍，订单排期紧张，晚下单就要等更久，直接落后同行扩产节奏
4. 抢占下一代 High-NA EUV 的导入窗口，提前布局 1D、0a 等更先进节点，拉开技术差距

三、采购落地对应的产线规划

1. SK 海力士：龙仁 Y1 晶圆厂，无尘室 2027 年 2 月启用，这批 EUV 设备到位之后，用来切换 1c DRAM，同步配套 HBM 产能
2. 三星：平泽 P4 工厂新增 HBM4 单晶 DRAM 产线；平泽 P5 是全新大型晶圆基地，2027 年洁净室完工、设备搬入，2028 年正式投产
3. 远期路线：两家厂商都计划 2027 年推进 1D DRAM，2028 年尝试引入 High-NA EUV 用于 0a DRAM 研发与小批量试产

四、本次重金扫货带来的行业影响

• 存储资本开支持续走高，设备折旧、厂务配套成本会继续抬升
• 先进 DRAM 产能释放节奏由 EUV 交付排期决定，设备紧缺会延缓整体供给放量
• HBM 供给增长节奏被绑定，短期 HBM、高端 DRAM 价格不容易快速回落
• 存储行业技术门槛进一步拉高，中小存储厂商很难跟进 EUV 路线，头部集中效应变强

五、风险清单

• ASML 扩产进度不及预期，设备延期交付，拖累产线投产计划
• AI 需求降温，HBM、DRAM 需求下滑，新产能投产之后利用率不足，成本压力变大
• High-NA EUV 成本极高，单台设备价格接近普通 EUV 两倍，量产落地难度大
• 地缘、供应链因素，可能影响设备交付与后续维保

【常见问题】

问题 1：存储大厂重金扫货 EUV 光刻机，主要是为了生产哪一类芯片？

回答 1：存储大厂重金扫货 EUV 光刻机，核心用来生产先进制程 DRAM 芯片，同时支撑 HBM4 等高带宽存储芯片的底层晶圆产能建设。

问题 2：存储大厂重金扫货 EUV 光刻机，为什么 EUV 设备现在这么紧张？

回答 2：存储大厂重金扫货 EUV 光刻机，一方面 AI 带动 HBM 需求大增，存储厂商扩产需求集中释放；另一方面 ASML 产能有限，官方预警 2027-2028 年供不应求，设备交付周期已经翻倍，排期资源稀缺。

问题 3：存储大厂重金扫货 EUV 光刻机，DUV 光刻为什么不能继续做先进 DRAM？

回答 3：存储大厂重金扫货 EUV 光刻机，是因为 DRAM 走到 1β、1c 节点之后，DUV 多重曝光会累积很大叠对误差，良率很难控制，EUV 单次曝光可以实现更精细图形，是先进 DRAM 制程的刚需设备。

【数据来源】

[2026-11-11]（存储大厂重金 “扫货” EUV 光刻机）芯查查

[2026-11-10]（砸下超 10 万亿韩元，三星、SK 海力士大手笔采购 ASML EUV 光刻机）环球网

[2026-11-10]（三星、SK 海力士争抢 EUV 设备）新浪财经

[2026-11-09]（三星、SK 海力士加紧采购 EUV，交期拉长）36 氪

【免责声明】

本文内容基于行业公开资讯、厂商披露信息整理，存储大厂 EUV 光刻机采购金额、交付周期、产线投产时间仅为行业动态梳理，不构成投资建议；设备交付、下游需求、技术落地存在不确定性，相关信息请以 ASML、存储厂商官方公告为准。