中微 Primo Matrix 等离子体晶圆切割设备完成首台交付，补齐先进封装干法切割国产设备环节

中微公司正式推出 Primo Matrix 双反应台等离子体晶圆切割设备，并且已经把全球首台设备交付给国内集成电路封装客户，这是国产等离子体干法晶圆切割设备的重要落地成果，传统刀片切割容易带来崩边、裂纹，先进封装芯片越来越薄、切割道越来越窄，刀片切割的良率瓶颈很明显，等离子体干法切割依靠深硅刻蚀实现无接触加工，损伤更低、切割道可以做到更窄，很多封装厂之前主要依赖海外同类型设备，这款设备基于中微成熟的 TSV 刻蚀技术平台开发，兼容 200mm、300mm 带框架晶圆，厚度适配范围广；企业导入的时候可以先做工艺验证，对比刀片切割的良率、单颗成本，优先在超薄晶圆、窄切割道的先进封装产线试点，后续逐步扩产，完善国产先进封装设备供应链。

Primo Matrix 等离子体晶圆切割设备核心参数

• 设备型号：Primo Matrix，双反应台等离子体晶圆切割设备
• 底层技术：沿用经过量产验证的 Primo TSV 等离子体深硅刻蚀技术
• 晶圆规格：支持 200mm、300mm 带框架晶圆，主力适配 300mm 产线
• 晶圆厚度：25μm～700μm，覆盖超薄减薄晶圆和常规晶圆
• 最小切割道：低至 5μm，缩小切割占用面积，提升单晶圆芯片产出数量
• 腔体扩展：基础双反应台架构，整机最多可扩展至 6 个刻蚀反应台
• 加工方式：等离子干法刻蚀切割，无物理刀片接触，降低晶圆崩裂、碎屑污染风险

等离子干法切割对比传统刀片切割对照表

对国产半导体产业链的价值

1. 补齐先进封装干法切割设备的国产选项，减少该环节对海外设备的依赖
2. 适配 Chiplet、2.5D/3D 封装这类先进工艺，这类工艺普遍需要超薄晶圆低损伤切割
3. 复用中微已经成熟的刻蚀腔体、传输平台，客户产线运维、备件体系可以和现有中微刻蚀设备打通
4. 窄切割道设计，同样尺寸晶圆可以排布更多芯片，提升晶圆利用率，摊薄芯片制造成本

产线导入实操步骤

1. 封装客户接收设备之后，先完成装机、机台校准、腔体工艺调试
2. 使用测试晶圆跑工艺 DOE，验证切割形貌、侧壁粗糙度、裂片良率
3. 和原有刀片切割工艺做对照，统计良率、产出效率、单片加工成本
4. 优先在超薄晶圆、高附加值先进封装产品上小批量试产验证
5. 工艺指标达标后，再逐步增加腔体、扩大产能，替换原有切割方案

现阶段适用边界

✅ 适合：先进封装、超薄减薄晶圆、窄切割道、高良率要求的功率芯片、存储、逻辑芯片封装

❌ 不优先：低端成熟封装、厚晶圆、预算敏感、切割道宽松、追求最低设备投入的产线

【常见问题】

问题 1：中微公司交付的首台等离子体晶圆切割设备 Primo Matrix，和传统刀片切割最大差别是什么？

回答 1：中微公司交付的首台等离子体晶圆切割设备 Primo Matrix 属于干法等离子刻蚀切割，没有刀片物理接触，切割道最低支持 5μm，超薄晶圆崩边、裂片风险更低；传统刀片切割是物理磨削，切割道宽，超薄晶圆加工良率短板明显。

问题 2：中微 Primo Matrix 等离子体晶圆切割设备，可以支持多大尺寸的晶圆？

回答 2：中微 Primo Matrix 等离子体晶圆切割设备以 300mm 晶圆为主，同时向下兼容 200mm 带框架晶圆，厚度覆盖 25μm 到 700μm 的超薄和常规晶圆。

问题 3：中微首台等离子体晶圆切割设备交付，是不是代表国内封装厂可以立刻全部替换进口切割设备？

回答 3：中微首台等离子体晶圆切割设备交付是国产化重要突破，但产线替换需要经过工艺验证、良率爬坡，它更适合先进封装窄切割道、超薄晶圆场景，成熟厚晶圆场景，刀片切割依旧有成本优势，不会一次性全部替换。

【参考资料】

[2026-11-11]（中微公司首台等离子体晶圆切割设备成功交付）新浪财经

[2026-11-10]（中微交付首台 Primo Matrix 等离子体晶圆切割设备）央广网

[2026-11-10]（中微公司首台等离子体晶圆切割设备已交付国内集成电路封装客户）上海证券报

[2026-11-10]（中微公司发布 Primo Matrix 等离子体晶圆切割设备）证券时报

【免责声明】

本文仅整理中微公司首台等离子体晶圆切割设备交付相关公开资讯，设备良率、产能、工艺指标最终取决于客户产线调试与产品类型；内容不构成半导体设备采购、产线改造、投资相关建议，详细工艺参数、商务信息请以中微公司官方披露和客户对接信息为准。