三星 3D Cube-H 先进封装瞄准 2027 年初完成开发，采用混合键合实现高密度芯片堆叠

根据韩国 ZDNet 行业消息，三星定下时间节点，计划 2027 年初完成下一代 3D Cube-H 先进封装技术开发，同期配套推出首套设计工具包，之后开放给潜在客户做方案评估，这项技术采用无凸块铜铜混合键合方案，用来垂直堆叠逻辑芯片、HBM 高带宽内存，主要服务 AI GPU、高性能计算芯片。三星现有的 3D Cube-T 是热压键合路线，最小互连间距 25 微米，中间带有微凸块结构，带宽、散热、功耗都有上限；3D Cube-H 去掉微凸块，直接铜面和铜面对接，目标互连间距压缩到 6 微米，信号路径更短、连接密度更高，同时减少凸块带来的热阻，芯片之间传输数据更省电。芯片设计方在使用这套封装的时候，要先拿到三星发布的设计套件，按照混合键合的设计规则完成版图，再送样验证，验证通过之后才会进入量产筹备；先进封装已经成为 AI 芯片竞争的关键环节，三星推出 3D Cube-H，就是用来补齐和竞品在混合键合堆叠上的差距，争夺 AI 芯片代工订单，不过目前项目还处在研发阶段，距离商业化量产还有较长周期。

3D Cube-H 核心技术清单

• 核心键合方式：Hybrid Bonding 混合铜键合（无凸块）
• 目标互连间距：6μm
• 前代对标方案：3D Cube-T（热压键合 TC Bonding，25μm 间距）
• 技术优势：垂直信号路径更短、互连密度提升、散热改善、传输能耗下降
• 适配场景：AI GPU 堆叠、逻辑芯片 + HBM 集成、高性能算力芯片
• 配套产出：2027 年初同步交付 Design Kit 设计工具包，开放客户评估

3D Cube-H 与 3D Cube-T 对比表

项目落地关键节点说明

1. 2027 年初：完成 3D Cube-H 技术开发，发布设计套件
2. 2027 年内：面向大客户进行方案评估、流片验证
3. 验证通过后：再规划量产时间，目前没有公布量产时间表
4. 业务定位：归属三星 Foundry 晶圆代工配套先进封装服务

【常见问题】

问题 1：三星 3D Cube-H 先进封装瞄准 2027 年初完成开发，3D Cube-H 是什么技术？

回答 1：三星 3D Cube-H 先进封装瞄准 2027 年初完成开发，3D Cube-H 是三星新一代 3D 垂直堆叠先进封装，采用无凸块铜铜混合键合，用来把逻辑芯片和 HBM 内存高密度叠在一起。

问题 2：三星 3D Cube-H 先进封装瞄准 2027 年初完成开发，它和 3D Cube-T 最大差别在哪？

回答 2：三星 3D Cube-H 先进封装瞄准 2027 年初完成开发，Cube-T 是热压键合带微凸块，最小间距 25 微米；Cube-H 是混合键合无凸块，目标间距 6 微米，密度、散热、能效全面升级。

问题 3：三星 3D Cube-H 先进封装瞄准 2027 年初完成开发，主要用来做什么芯片？

回答 3：三星 3D Cube-H 先进封装瞄准 2027 年初完成开发，主打 AI GPU、高性能计算芯片，适合逻辑芯片和 HBM 高带宽内存集成堆叠，提升 AI 芯片带宽。

问题 4：三星 3D Cube-H 先进封装瞄准 2027 年初完成开发，2027 年初就能直接量产吗？

回答 4：三星 3D Cube-H 先进封装瞄准 2027 年初完成开发，2027 年初只是完成技术开发、放出设计套件，之后才是客户评估验证，暂时没有确定量产时间。

【参考资料】

[2026-11-11]（三星电子计划 2027 年初完成下一代封装技术 3D Cube-H 的开发）新浪财经

[2026-11-11]（Samsung Reportedly Eyes Early 2027 for 3D Cube-H Advanced Packaging Development）TrendForce 集邦咨询

[2026-11-10]（三星拟 2027 年初完成 3D Cube-H 开发，互连间距目标 6 微米）CNMO 科技

[2026-08-04]（Advanced Heterogeneous Integration）三星半导体官网

【免责声明】

本文三星 3D Cube-H 先进封装相关资讯仅为行业信息整理，不构成芯片设备、半导体产业链投资建议；开发进度、参数指标、量产时间为行业报道目标规划，存在延期、参数调整风险，最终技术规格、服务方案以三星 Foundry 官方公告为准。